Hersteller Produktnummer:
IPD09N03LA G
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD09N03LA G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12800911
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Menge
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IPD09N03LA G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
OPD09N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD09N03LAGXTINTR-DG
IPD09N03LAGINTR
IPD09N03LAGINTR-NDR
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-DG
IPD09N03LAGBUMA1
IPD09N03LAG
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINTR
IPD09N03LAINTR
SP000017536
IPD09N03LA
IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAINTR-DG
IPD09N03LAGXTINCT-DG
IPD09N03LAGXT
IPD09N03LAGINCT-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD090N03LGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
94138
TEILNUMMER
IPD090N03LGATMA1-DG
Einheitspreis
0.23
ERSATZART
Direct
Teilenummer
FDD8880
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
13967
TEILNUMMER
FDD8880-DG
Einheitspreis
0.27
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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